SI1072X-T1-GE3
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
SI1072X-T1-GE3 datasheet
-
МаркировкаSI1072X-T1-GE3
-
ПроизводительSiliconix
-
ОписаниеVishay Intertechnology SI1072X-T1-GE3 Continuous Drain Current Id: 1.3A Current - Continuous Drain (id) @ 25?° C: - Drain Source Voltage Vds: 30V Drain To Source Voltage (vdss): 30V Fet Feature: Logic Level Gate Fet Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide Gate Charge (qg) @ Vgs: 8.3nC @ 10V ID_COMPONENTS: 2663580 Input Capacitance (ciss) @ Vds: 280pF @ 15V Mounting Type: Surface Mount On Resistance Rds(on): 129mohm Package / Case: * Power - Max: 236mW Rds On (max) @ Id, Vgs: 93 mOhm @ 1.3A, 10V Rds(on) Test Voltage Vgs: 20V Series: TrenchFET?® Threshold Voltage Vgs Typ: 3V Transistor Polarity: N Channel Vgs(th) (max) @ Id: 3V @ 250?µA
-
Количество страниц8 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
10.06.2024
09.06.2024
08.06.2024